Ang mga field effect transistors ay naiiba mula sa bipolar transistors na nagpapatakbo lamang sila ng isa sa mga electron o butas. Ayon sa istraktura at prinsipyo, maaari itong nahahati sa:
. Tube ng epekto ng patlang na junction
. Tube ng epekto ng patlang na uri ng MOS
1. Junction FET (kantong FET)
1) Prinsipyo
Tulad ng ipinakita sa pigura, ang N-channel junction field effect transistor ay may isang istraktura kung saan ang N-type semiconductor ay naipit mula sa magkabilang panig sa pamamagitan ng gate ng P-type semiconductor. Ang lugar ng pagkaubos na nabuo kapag ang isang pabalik na boltahe ay inilapat sa PN junction ay ginagamit para sa kasalukuyang kontrol.
Kapag ang isang boltahe ng DC ay inilapat sa magkabilang dulo ng rehiyon na uri ng kristal na N, ang mga electron ay dumadaloy mula sa pinagmulan patungo sa kanal. Ang lapad ng channel kung saan dumaan ang mga electron ay natutukoy ng rehiyon na uri ng P na nagkakalat mula sa magkabilang panig at ng negatibong boltahe na inilapat sa rehiyon na ito.
Kapag ang negatibong boltahe ng gate ay pinalakas, ang lugar ng pag-ubos ng PN junction ay umaabot sa channel, at ang lapad ng channel ay nabawasan. Samakatuwid, ang kasalukuyang mapagkukunan-alisan ng tubig ay maaaring kontrolado ng boltahe ng electrode ng gate.
2) Gamitin
Kahit na ang boltahe ng gate ay zero, mayroong kasalukuyang daloy, kaya ginagamit ito para sa patuloy na kasalukuyang mga mapagkukunan o para sa mga audio amplifier dahil sa mababang ingay.
2. MOS uri ng patlang na epekto ng patlang
1) Prinsipyo
Kahit na sa istraktura (istraktura ng MOS) ng metal (M) at semiconductor (S) na sandwiching ang film na oksido (O), kung ang isang boltahe ay inilapat sa pagitan ng (M) at ng semiconductor (S), ang isang layer ng pag-ubos ay maaaring nabuo Bilang karagdagan, kapag ang isang mas mataas na boltahe ay inilapat, ang mga electron o butas ay maaaring maipon sa ilalim ng oxygen bloom film upang makabuo ng isang layer ng pagbabaligtad. Ginagamit ang MOSFET bilang isang switch.
Sa diagram ng prinsipyo ng pagpapatakbo, kung ang boltahe ng gate ay zero, ang PN junction ay ididiskonekta ang kasalukuyang, upang ang kasalukuyang ay hindi dumaloy sa pagitan ng mapagkukunan at alisan ng tubig. Kung ang isang positibong boltahe ay inilapat sa gate, ang mga butas ng uri ng P na uri ay patalsikin mula sa film na oksido-ang ibabaw ng semikondaktor na uri ng P sa ilalim ng gate upang mabuo ang isang layer ng pag-ubos. Bukod dito, kung ang boltahe ng gate ay nadagdagan muli, ang mga electron ay aakit sa ibabaw upang bumuo ng isang mas payat na N-type na inversion layer, upang ang pinagmulan na pin (N-type) at ang alisan ng tubig (N-type) ay konektado, pinapayagan ang kasalukuyang dumaloy .
2) Gamitin
Dahil sa simpleng istraktura nito, mabilis na bilis, simpleng gate drive, malakas na mapanirang lakas at iba pang mga katangian, at ang paggamit ng microfabrication na teknolohiya, maaari itong direktang mapabuti ang pagganap, kaya't malawak itong ginagamit sa mga aparatong mataas ang dalas mula sa mga pangunahing aparato ng LSI hanggang sa mga aparatong Power (mga aparato ng kontrol sa kuryente) at iba pang mga patlang.
3. Karaniwang tubo ng utility sa patlang
1) MOS patlang ng epekto sa patlang
Iyon ay, ang metal-oxide-semiconductor field effect tube, ang pagpapaikli sa Ingles ay MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor
Field-Effect-Transistor), na kung saan ay isang insulated na uri ng gate. Ang pangunahing tampok nito ay mayroong isang silicon dioxide insulate layer sa pagitan ng metal gate at ng channel, kaya mayroon itong napakataas na resistensya sa pag-input (pinaka-Mataas hanggang 1015Ω). Nahahati din ito sa N-channel tube at P-channel tube, ang simbolo ay ipinapakita sa Larawan 1. Karaniwan ang substrate (substrate) at ang pinagmulan ng S ay magkakaugnay. Ayon sa iba't ibang mode ng pagpapadaloy, ang MOSFET ay nahahati sa uri ng pagpapahusay,
Uri ng pagkaubos. Ang tinaguriang pinahusay na uri ay tumutukoy sa: kapag VGS = 0, ang tubo ay nasa isang off state, at pagkatapos na idagdag ang tamang VGS, ang karamihan ng mga carrier ay naaakit sa gate, sa gayon "pinapahusay" ang mga carrier sa lugar na ito at bumubuo isang kondaktibong channel.
Ang uri ng pagkaubos ay nangangahulugan na kapag VGS = 0, nabuo ang isang channel, at kapag idinagdag ang tamang VGS, ang karamihan ng mga carrier ay maaaring dumaloy sa labas ng channel, kaya't "maubos" ang mga carrier at pinapatay ang tubo.
Ang pagkuha sa N channel bilang isang halimbawa, ginawa ito sa isang uri ng P na uri ng silikon na may dalawang pinagmumulan ng pagsasabog ng mga rehiyon na N + at maubos ang mga rehiyon ng pagsasabog ng N + na may mataas na konsentrasyon ng doping, at pagkatapos ay ang mapagkukunang S at ang alisan ng D ay pinangunahan ayon sa pagkakabanggit. Ang pinagmulan ng elektrod at ang substrate ay konektado sa loob, at laging pinapanatili ng dalawa ang parehong kuryente
Bit. Ang direksyon sa harap sa simbolo ng Larawan 1 (a) ay mula sa labas hanggang sa kuryente, na nangangahulugang mula sa materyal na uri ng P (substrate) hanggang sa N-type na channel. Kapag ang kanal ay konektado sa positibong poste ng power supply, ang mapagkukunan ay konektado sa negatibong poste ng power supply at VGS = 0, ang kasalukuyang channel (iyon ay, ang kasalukuyang alisan ng tubig
Stream) ID = 0. Sa unti-unting pagtaas ng VGS, na akit ng positibong boltahe ng gate, negatibong sisingilin ng mga carrier ng minorya ay sapilitan sa pagitan ng dalawang rehiyon ng pagsasabog, na bumubuo ng isang N-type na channel mula sa kanal hanggang sa mapagkukunan. Kapag ang VGS ay mas malaki kaysa sa tubo ng Kapag ang turn-on voltage VTN (sa pangkalahatan ay tungkol sa + 2V), ang tubo ng N-channel ay nagsisimulang magsagawa, na bumubuo ng isang kasalukuyang ID na maubos.
Ang tubo ng patlang na epekto ng MOS ay higit na "mabangis". Ito ay dahil ang input ng paglaban ay napakataas, at ang capacitance sa pagitan ng gate at ang mapagkukunan ay napakaliit, at ito ay napaka-madaling kapitan ng singil ng panlabas na electromagnetic field o electrostatic induction, at isang maliit na halaga ng singil ay maaaring mabuo sa ang kapasidad sa pagitan ng mga electrodes.
Sa isang napakataas na boltahe (U = Q / C), ang tubo ay masisira. Samakatuwid, ang mga pin ay pinilipit magkasama sa pabrika, o naka-install sa metal foil, upang ang poste ng G at ang S poste ay nasa parehong potensyal upang maiwasan ang akumulasyon ng static na singil. Kapag ang tubo ay hindi ginagamit, gamitin ang lahat Ang mga wires ay dapat ding maiksi. Maging labis na maingat sa pagsukat, at gumawa ng kaukulang mga anti-static na hakbang.
2) Paraan ng pagtuklas ng MOS patlang na epekto ng patlang
(1). Mga Paghahanda Bago pagsukat, mag-circuit ng mabilis ang katawan ng tao sa lupa bago hawakan ang mga pin ng MOSFET. Mahusay na ikonekta ang isang kawad sa pulso upang kumonekta sa mundo, upang ang katawan ng tao at ang lupa ay mapanatili ang isang equipotential. Paghiwalayin muli ang mga pin, at pagkatapos alisin ang mga wire.
(2). Pagtukoy elektrod
Itakda ang multimeter sa gear na R × 100, at unang tukuyin ang grid. Kung ang paglaban ng isang pin at iba pang mga pin ay parehong walang katapusan, pinatunayan nito na ang pin na ito ay ang grid G. Palitan ang pagsubok na humahantong sa muling pagsukat, ang halaga ng paglaban sa pagitan ng SD ay dapat na ilang daang ohms sa ilang libong
Oh, kung saan mas maliit ang halaga ng paglaban, ang itim na lead ng pagsubok ay konektado sa poste ng D, at ang pulang pagsubok na lead ay konektado sa S poste. Para sa mga produktong serye ng 3SK na ginawa sa Japan, ang S poste ay konektado sa shell, kaya madaling matukoy ang S poste.
(3). Suriin ang kakayahan sa amplification (transconductance)
I-hang ang G poste sa hangin, ikonekta ang itim na pagsubok na humantong sa D poste, at ang pulang pagsubok na humantong sa S poste, at pagkatapos ay hawakan ang poste ng G gamit ang iyong daliri, ang karayom ay dapat magkaroon ng isang mas malaking pagpapalihis. Ang dobleng gate na MOS na epekto sa transistor ay may dalawang gate G1 at G2. Upang makilala ito, maaari mo itong hawakan gamit ang iyong mga kamay
Ang mga poste ng G1 at G2, ang poste ng G2 ay ang isa na may mas malaking pagpapalihis ng kamay ng relo sa kaliwa. Sa kasalukuyan, ang ilang mga tubo ng MOSFET ay nagdagdag ng mga proteksiyon na diode sa pagitan ng mga GS poste, at hindi na kailangang mag-circuit pa bawat pin.
3) Pag-iingat para sa paggamit ng MOS patlang na epekto transistors.
Ang mga transaksyon ng patlang na epekto ng MOS ay dapat na uriin kapag ginamit ang mga ito at hindi maaaring palitan ng ayon sa kalooban. Ang mga transistor ng patlang na epekto ng MOS ay madaling masira ng static na kuryente dahil sa kanilang mataas na impedance (kasama ang MOS integrated circuit). Bigyang pansin ang mga sumusunod na panuntunan kapag ginagamit ang mga ito:
Ang mga aparato ng MOS ay karaniwang naka-pack sa itim na conductive foam plastic bag kapag umalis sila sa pabrika. Huwag i-pack ang mga ito sa isang plastic bag nang mag-isa. Maaari mo ring gamitin ang manipis na mga wire na tanso upang ikonekta ang mga pin nang magkasama, o ibalot ito sa lata ng foil
Ang aparato ng MOS na inilabas ay hindi maaaring mag-slide sa plastic board, at isang metal plate ang ginagamit upang hawakan ang aparato na gagamitin.
Ang bakal na panghinang ay dapat na mahusay na saligan.
Bago ang hinang, ang linya ng kuryente ng circuit board ay dapat na maikling-ikot sa linya ng lupa, at pagkatapos ay dapat na ihiwalay ang aparato ng MOS matapos makumpleto ang hinang.
Ang pagkakasunud-sunod ng hinang ng bawat pin ng aparato ng MOS ay alisan ng tubig, mapagkukunan, at gate. Kapag ang pag-disassemble ng makina, ang pagkakasunud-sunod ay nabaligtad.
Bago i-install ang circuit board, gumamit ng isang grounded wire clamp upang hawakan ang mga terminal ng makina, at pagkatapos ay ikonekta ang circuit board.
Ang gate ng MOS patlang na epekto transistor ay mas mabuti na konektado sa isang proteksyon diode kapag pinapayagan. Kapag overhaul ang circuit, bigyang pansin upang suriin kung ang orihinal na diode ng proteksyon ay nasira.
4) VMOS patlang ng epekto sa patlang
Ang VMOS field effect tube (VMOSFET) ay pinaikling bilang VMOS tube o power field effect tube, at ang buong pangalan nito ay V-groove MOS field effect tube. Ito ay isang bagong binuo mataas na kahusayan, paglipat ng kuryente pagkatapos ng MOSFET
Mga piraso Hindi lamang ito nagmamana ng mataas na impedance ng pag-input ng MOS field effect tube (≥108W), maliit na kasalukuyang drive (mga 0.1μA), ngunit mayroon ding mataas na boltahe na makatiis (hanggang sa 1200V) at malaking kasalukuyang gumaganang
(1.5A ～ 100A), mataas na lakas ng output (1 ～ 250W), mahusay na linearidad ng transconductance, bilis ng paglipat ng mabilis at iba pang mahusay na mga katangian. Ito ay tiyak dahil pinagsasama nito ang mga kalamangan ng mga electron tubes at power transistors sa isa, kaya't ang boltahe
Ang mga amplifier (boltahe na nagpapalaki ng hanggang libong beses), mga power amplifier, paglipat ng mga supply ng kuryente at inverters ay malawakang ginagamit.
Tulad ng alam nating lahat, ang gate, mapagkukunan, at alisan ng isang tradisyunal na MOS na epekto sa transistor ay nasa isang maliit na tilad kung saan ang gate, mapagkukunan, at alisan ng tubig ay halos sa parehong pahalang na eroplano, at ang kasalukuyang gumaganang nito ay karaniwang dumadaloy sa isang pahalang na direksyon. Ang tubo ng VMOS ay iba, mula sa ibabang kaliwang larawan na magagawa mo
Dalawang pangunahing mga katangian ng istruktura ang maaaring makita: una, ang metal gate ay gumagamit ng isang istrakturang V-uka; pangalawa, mayroon itong patayong conductivity. Dahil ang kanal ay iginuhit mula sa likuran ng maliit na tilad, ang ID ay hindi dumadaloy nang pahalang sa kahabaan ng maliit na tilad, ngunit mabigat na na-dop sa N +
Simula mula sa rehiyon (pinagmulan ng S), dumadaloy ito sa gaanong naka-doping na rehiyon na N-naaanod sa pamamagitan ng P channel, at sa wakas ay naabot ang kanal D patayo pababa. Ang direksyon ng kasalukuyang ay ipinapakita ng arrow sa figure, dahil ang cross-sectional area ng daloy ay nadagdagan, kaya ang malaking kasalukuyang ay maaaring pumasa. Kasi sa gate
Mayroong isang layer ng pagkakabukod ng silicon dioxide sa pagitan ng poste at ng maliit na tilad, sa gayon ito ay isang insulated na gate MOS na epekto sa transistor.
Ang pangunahing domestic tagagawa ng VMOS mga epekto ng patlang na epekto transistors isama ang 877 Pabrika, Tianjin Semiconductor Device Pang-apat na Pabrika, Hangzhou Electron Tube Factory, atbp Kasama sa mga karaniwang produkto ang VN401, VN672, VMPT2, atbp.
5) Paraan ng pagtuklas ng VMOS patlang ng epekto sa patlang
(1). Tukuyin ang grid G. Itakda ang multimeter sa posisyon na R × 1k upang sukatin ang paglaban sa pagitan ng tatlong mga pin. Kung nalaman na ang paglaban ng isang pin at ang dalawang mga pin nito ay parehong walang katapusan, at ito ay walang hanggan pagkatapos ng pagpapalitan ng mga lead test, napatunayan na ang pin na ito ay ang G poste, sapagkat ito ay insulated mula sa iba pang dalawang mga pin.
(2). Natutukoy ang mapagkukunan S at alisan ng tubig D Tulad ng makikita mula sa Larawan 1, mayroong isang PN junction sa pagitan ng mapagkukunan at alisan ng tubig. Samakatuwid, ayon sa pagkakaiba sa pasulong at pabalik na pagtutol ng PN junction, ang S poste at ang D post ay maaaring makilala. Gamitin ang paraan ng exchange meter pen upang sukatin ang paglaban ng dalawang beses, at ang isa na may mas mababang halaga ng paglaban (sa pangkalahatan maraming libong ohm hanggang sampung libong ohm) ay ang paglaban sa unahan. Sa oras na ito, ang black test lead ay S poste, at ang pula ay konektado sa D poste.
(3). Sukatin ang tinubuang-mapagkukunan na on-state na pagtutol sa RDS (sa) upang maiikling-circuit ang GS poste. Piliin ang R × 1 gear ng multimeter. Ikonekta ang itim na pagsubok na humantong sa S poste at ang pulang pagsubok na humantong sa D poste. Ang paglaban ay dapat na ilang mga ohm sa higit sa sampung ohm.
Dahil sa iba't ibang mga kundisyon ng pagsubok, ang sinusukat na RDS (on) na halaga ay mas mataas kaysa sa karaniwang halaga na ibinigay sa manwal. Halimbawa, ang isang IRFPC50 VMOS tube ay sinusukat sa isang 500-type na multimeter R × 1 na file, RDS
(On) = 3.2W, mas malaki sa 0.58W (karaniwang halaga).
(4). Suriin ang transconductance. Ilagay ang multimeter sa posisyon na R × 1k (o R × 100). Ikonekta ang pulang pagsubok na lead sa S poste, at ang itim na pagsubok na humantong sa D poste. Maghawak ng isang distornilyador upang hawakan ang grid. Ang karayom ay dapat na lumihis nang malaki. Ang mas malaki ang pagpapalihis, mas malaki ang pagpapalihis ng tubo. Mas mataas ang transconductance.
6) Mga bagay na nangangailangan ng pansin:
Ang mga tubo ng VMOS ay nahahati din sa mga tubo ng N-channel at mga tubo ng P-channel, ngunit ang karamihan sa mga produkto ay mga tubo ng N-channel. Para sa mga tubo ng P-channel, ang posisyon ng mga lead ng pagsubok ay dapat ipagpalit habang sinusukat.
Mayroong ilang mga tubo ng VMOS na may mga diode ng proteksyon sa pagitan ng GS, ang mga item 1 at 2 sa pamamaraang pagtuklas na ito ay hindi na naaangkop.
Sa kasalukuyan, mayroon ding isang module ng VMOS tube power sa merkado, na espesyal na ginagamit para sa mga AC motor speed control at inverter. Halimbawa, ang module ng IRFT001 na ginawa ng kumpanya ng American IR ay mayroong tatlong mga N-channel at P-channel tubes sa loob, na bumubuo ng isang tatlong-yugto na istraktura ng tulay.
Ang mga produkto ng serye ng VNF (N-channel) sa merkado ay sobrang-mataas na dalas ng mga transistor ng epekto sa lakas ng dalas na ginawa ng Supertex sa Estados Unidos. Ang pinakamataas na dalas ng operating nito ay fp = 120MHz, IDSM = 1A, PDM = 30W, karaniwang mapagkukunan maliit na signal mababang-dalas na transconductance gm = 2000μS. Ito ay angkop para sa mga high-speed switching circuit at kagamitan sa pag-broadcast at komunikasyon.
Kapag gumagamit ng isang VMOS tube, dapat na idagdag ang isang angkop na heat sink. Ang pagkuha ng VNF306 bilang isang halimbawa, ang maximum na lakas ay maaaring umabot sa 30W pagkatapos mag-install ng isang 140 × 140 × 4 (mm) radiator.
7) Paghahambing ng patlang ng epekto sa patlang at transistor
Ang tubo ng epekto ng patlang ay ang elemento ng pagkontrol ng boltahe, at ang transistor ay ang kasalukuyang elemento ng pagkontrol. Kapag pinapayagan lamang ang mas kaunting kasalukuyang iguhit mula sa pinagmulan ng signal, dapat gamitin ang isang FET; at kapag ang signal boltahe ay mababa at pinapayagan ang mas maraming kasalukuyang iguhit mula sa pinagmulan ng signal, dapat gamitin ang isang transistor.
Ang patlang ng epekto sa patlang ay gumagamit ng karamihan sa mga carrier upang magsagawa ng kuryente, kaya't ito ay tinatawag na unipolar na aparato, habang ang transistor ay may parehong mga carrier ng karamihan at mga carrier ng minorya upang magsagawa ng kuryente. Tinatawag itong isang bipolar device.
Ang mapagkukunan at alisan ng tubig ng ilang mga epekto sa patlang na epekto ay maaaring magamit nang palitan, at ang boltahe ng gate ay maaari ding maging positibo o negatibo, na mas may kakayahang umangkop kaysa sa mga transistors.
Ang patlang ng epekto sa patlang ay maaaring gumana sa ilalim ng napakaliit na kasalukuyang at napakababang boltahe, at ang proseso ng pagmamanupaktura nito ay madaling maisama ang maraming mga tubo ng epekto sa patlang sa isang silikon na chip, kaya't ang patlang ng epekto ng patlang ay ginamit sa malakihang mga integrated circuit. Malawak na saklaw ng mga application.
|
|
|
|
Gaano kalayo (mahaba) mga transmiter pabalat?
Ang hanay transmission ay depende sa maraming mga kadahilanan. Ang tunay na distansya ay batay sa antena-install taas, antena makakuha, gamit na kapaligiran tulad ng mga gusali at iba pang mga obstructions, pagiging sensitibo ng receiver, antena ng receiver. Pag-install ng antena mas mataas at gamit sa kanayunan, ang distansya ay mas malayo.
EXAMPLE 5W FM transmiter gamitin sa lungsod at bayan:
Mayroon akong isang USA customer paggamit 5W FM transmiter na may GP antena sa kanyang bayang kinalakhan, at siya ay subukan ito sa isang kotse, takpan ito 10km (6.21mile).
subukan ko ang 5W FM transmiter na may GP antena sa aking bayan, ito ay sumasakop tungkol 2km (1.24mile).
subukan ko ang 5W FM transmiter na may GP antena sa Guangzhou city, takpan ito tungkol lamang 300meter (984ft).
Sa ibaba ay ang tinatayang saklaw ng iba't-ibang kapangyarihan FM Transmitters. (Hanay ay diameter)
0.1W ~ 5W FM transmiter: 100M ~ 1KM
5W ~ 15W FM Ttransmitter: 1KM ~ 3KM
15W ~ 80W FM transmiter: 3KM ~ 10KM
80W ~ 500W FM transmiter: 10KM ~ 30KM
500W ~ 1000W FM transmiter: 30KM ~ 50KM
1KW ~ 2KW FM transmiter: 50KM ~ 100KM
2KW ~ 5KW FM transmiter: 100KM ~ 150KM
5KW ~ 10KW FM transmiter: 150KM ~ 200KM
Paano makikipag-ugnayan sa amin para sa mga transmiter?
Tawagan ako + 8618078869184 O
email sa akin [protektado ng email]
1.How malayo gusto mong upang masakop ang lapad?
2.How ang taas ng tower mo?
3.Where ka?
At kami ay magbibigay sa iyo ng karagdagang propesyonal na payo.
Tungkol sa Amin
FMUSER.ORG ay isang sistema ng pagsasama-sama ng kumpanya na tumututok sa RF wireless transmission / studio video audio kagamitan / streaming at pagpoproseso ng data. Nagbibigay kami ng lahat mula sa payo at pagkonsulta sa pamamagitan ng rack integration sa pag-install, commissioning at pagsasanay.
Nag-aalok kami ng FM Transmitter, Analog TV Transmitter, Digital TV transmitter, VHF UHF Transmitter, Antennas, Coaxial Cable Connectors, STL, On Air Processing, Broadcast Products para sa Studio, Pagmamanman ng RF Signal, RDS Encoders, Audio Processors at Remote Site Control Units, Mga Produkto ng IPTV, Video / Audio Encoder / Decoder, na idinisenyo upang matugunan ang mga pangangailangan ng parehong malalaking internasyonal na mga network ng broadcast at mga maliliit na pribadong istasyon.
Ang aming solusyon ay mayroong FM Radio Station / Analog TV Station / Digital TV Station / Audio Video Studio Equipment / Studio Transmitter Link / Transmitter Telemetry System / Hotel TV System / IPTV Live Broadcasting / Streaming Live Broadcast / Video Conference / CATV Broadcasting system.
Gumagamit kami ng mga advanced na mga produktong teknolohiya para sa lahat ng mga sistema, dahil alam namin na ang mataas na pagiging maaasahan at mataas na pagganap ay napakahalaga para sa sistema at solusyon. Sa parehong oras kailangan din naming tiyakin na ang aming mga produkto system na may isang napaka-makatwirang presyo.
Mayroon kaming mga mamimili ng pampubliko at komersyal na tagapagbalita, mga operator ng telecom at mga awtoridad ng regulasyon, at nag-aalok din kami ng solusyon at mga produkto sa maraming daan-daang mga mas maliit, lokal at tagapagbalita ng komunidad.
Ang FMUSER.ORG ay nag-export ng higit sa 15 taon at may mga kliyente sa buong mundo. Sa karanasan ng 13 taon sa larangang ito, mayroon kaming isang propesyonal na koponan upang malutas ang lahat ng uri ng mga problema ng customer. Nakatuon kami sa pagbibigay ng lubos na makatwirang pagpepresyo ng mga propesyonal na produkto at serbisyo. Makipag-ugnay sa email: [protektado ng email]
Ang aming Factory
Meron kami paggawa ng makabago ng factory. Ikaw ay malugod na bisitahin ang aming factory kapag dumating ka sa China.
Sa kasalukuyan, may mga naka 1095 customer sa buong mundo binisita ang aming Guangzhou Tianhe opisina. Kung dumating ka sa China, ikaw ay malugod na bisitahin kami.
sa Fair
Ito ang aming pakikilahok sa 2012 Global Sources Hong Kong Electronics Fair . Mga customer mula sa buong mundo sa wakas ay magkaroon ng isang pagkakataon upang makakuha ng magkasama.
Nasaan si Fmuser?
Maaari mong hanapin ang mga numerong ito " 23.127460034623816,113.33224654197693 "sa google map, pagkatapos ay mahahanap mo ang aming tanggapan ng fmuser.
FMUSER Guangzhou opisina ay sa Tianhe District kung saan ay ang gitna ng Canton . napaka malapit sa Canton Fair , guangzhou istasyon ng tren, Xiaobei kalsada at dashatou , kailangan lamang 10 minuto kung gagawin tAXI . Maligayang pagdating mga kaibigan sa buong mundo upang bisitahin at makipag-ayos.
Contact: Sky Blue
Cellphone: + 8618078869184
WhatsApp: + 8618078869184
Wechat: + 8618078869184
E-mail: [protektado ng email]
QQ: 727926717
Skype: sky198710021
Tirahan No.305 Room HuiLan Building No.273 Huanpu Road Guangzhou China Zip: 510620
|
|
|
|
Ingles: Tinatanggap namin ang lahat ng mga pagbabayad, tulad ng PayPal, Credit Card, Western Union, Alipay, Book Book ng Pera, T / T, LC, DP, DA, OA, Payoneer, Kung mayroon kang anumang katanungan, mangyaring makipag-ugnay sa akin [protektado ng email] o WhatsApp + 8618078869184
-
PayPal.  www.paypal.com
Inirerekumenda namin sa iyo na gamitin ang Paypal upang bumili ng aming mga item, ang Paypal ay isang ligtas na paraan upang bumili sa internet.
Ang bawat ng aming listahan item page ibaba sa itaas magkaroon ng isang PayPal logo upang magbayad.
Credit Card.Kung wala kang PayPal, ngunit mayroon kang credit card, ikaw din ay maaaring mag-klik sa Yellow button PayPal upang magbayad gamit ang iyong credit card.
-------------------------------------------------- -------------------
Ngunit kung mayroon kang hindi isang credit card at hindi magkaroon ng isang PayPal account o mahirap na nakuha ng isang PayPal accout, Maaari mong gamitin ang mga sumusunod:
Western Union.  www.westernunion.com
Magbayad sa pamamagitan ng Western Union sa akin:
Pangalan / Pangalan ng pangalan: Yingfeng
Apelyido / Apelyido / Pangalan ng Pamilya: Zhang
Buong pangalan: Yingfeng Zhang
Bansa: Tsina
City: Guangzhou
|
-------------------------------------------------- -------------------
T / T. magbayad sa pamamagitan ng T / T (wire transfer / pantelegrapo Transfer / Bank Transfer)
Unang IMPORMASYON SA BANK (ACCOUNT NG KUMPANYAN):
SWIFT BIC: BKCHHKHHXXX
Pangalan ng bangko: BANK OF CHINA (HONG KONG) LIMITADO, HONG KONG
Address ng Bangko: BANK OF CHINA TOWER, 1 GARDEN ROAD, CENTRAL, HONG KONG
BANK CODE: 012
Pangalan ng Account: FMUSER INTERNATIONAL GROUP LIMITED
HINDI account. : 012-676-2-007855-0
-------------------------------------------------- -------------------
Pangalawang IMPORMASYON SA BANK (ACCOUNT NG KUMPANYAN):
Makikinabang: Fmuser International Group Inc.
Numero ng Account: 44050158090900000337
Bangko ng Benepisyaryo: Bangko ng Konstruksiyon ng Tsina sa Sangay ng Guangdong
SWIFT Code: PCBCCNBJGDX
Address: NO.553 Tianhe Road, Guangzhou, Guangdong, Tianhe District, China
** Tandaan: Kapag naglipat ka ng pera sa aming bank account, mangyaring HUWAG magsulat ng anuman sa lugar ng pangungusap, kung hindi man ay hindi kami makakatanggap ng bayad dahil sa patakaran ng pamahalaan sa pang-internasyong negosyo sa kalakal.
|
|
|
|
* Ito ay ipapadala sa 1 2-araw ng trabaho kapag malinaw pagbabayad.
* Kami ay ipadala ito sa iyong PayPal address. Kung gusto mong baguhin ang address, mangyaring ipadala ang iyong tamang address at numero ng telepono sa aking email [protektado ng email]
* Kung ang mga pakete ay mas mababa 2kg, ay ipinadala namin sa pamamagitan ng post airmail, tatagal ito ng 15-25days sa iyong kamay.
Kung ang pakete ay higit pa sa 2kg, kami ay nagpapadala sa pamamagitan ng EMS, DHL, UPS, Fedex mabilis express delivery, tatagal ito ng 7 ~ 15days sa iyong kamay.
Kung ang mga pakete ng higit sa 100kg, magpapadala kami sa pamamagitan ng DHL o air kargamento. Aabutin ng tungkol sa 3 ~ 7days sa iyong kamay.
Ang lahat ng mga pakete ay anyo China Guangzhou.
* Ipapadala ang package bilang isang "regalo" at i-declear nang mas mababa hangga't maaari, hindi kailangang magbayad ang mamimili para sa "TAX".
* Pagkatapos barko, papadalhan ka namin ng isang e-mail at bibigyan ka ng tracking number.
|
|
|
Para sa Warranty.
Makipag-ugnay sa US --- >> Ibalik ang item sa amin --- >> Tumanggap at magpadala ng isa pang kapalit.
Pangalan: Liu Xiaoxia
Tirahan 305Fang HuiLanGe HuangPuDaDaoXi 273Hao TianHeQu Guangzhou China.
ZIP: 510620
Telepono: + 8618078869184
Mangyaring bumalik sa address na ito at isulat ang iyong PayPal address, pangalan, problema sa tala: |
|
Ang aming iba pang mga produkto:
