Sa kasalukuyan, ang mas tanyag na mga module ng memorya ay higit sa lahat ang tatlong uri na ito: SDR, DDR, RAMBUS. Kabilang sa mga ito, ang memorya ng RAMBUS ay gumagamit ng isang serial na teknolohiya ng koneksyon na may kontrol na impedance. Hindi na namin ito tatalakayin pa dito. Ang teknolohiya ng disenyo ng memorya na buod sa artikulong ito ay para sa SDRAM (kabilang ang SDR at DDR). Ngayon maikumpara natin nang saglit ang SDR at DDR, pareho silang tinatawag na magkasabay na memorya, at ang kanilang pangunahing teknolohiya ay pareho. Ito ay lamang na ang DDR ay napabuti sa ilang mga pag-andar, kaya ang DDR ay kung minsan ay tinatawag na SDRAM II. Ang buong pangalan ng DDR ay Double Data Rate, na doble sa rate ng paglipat ng data, ngunit ang dalas ng orasan nito ay hindi tumaas, ngunit ang pagtaas at pagbagsak ng mga gilid ng orasan ay maaaring magamit upang mabasa at sumulat ng data. Para sa SDR, ang karaniwang mga module sa merkado ay higit sa lahat PC100 / PC133 / PC166, at ang kaukulang memorya ng DDR ay DDR200 (PC1600) / DDR266 (PC2100) / DDR333 (PC2700).
Ang ilang mga tiyak na pagkakaiba sa pagitan ng DDR at SDR:
Ang boltahe at interface ng circuit ay magkakaiba. Pangkalahatang gumagamit ang SDR ng 3.3V LVTTL o SSTL_3 interface, habang ang DDR ay gumagamit ng 2.5V SSTL_2 low-voltage digital interface, at ang DDRII ay gumagamit ng 1.8V SSTL_18 interface.
Ang ZA DLL (Delay Locked Loops) ay idinagdag sa loob ng DDR chip, at ang data ay tumpak na matatagpuan sa pamamagitan ng data gate DQS (data strob).
Maaaring gamitin ng Z DDR ang tumataas at bumabagsak na mga gilid ng orasan upang mabasa at sumulat ng data, at ang kakanyahan nito ay ang paggamit ng tumataas at bumabagsak na mga gilid ng signal ng DQS upang magpadala at tumanggap ng data.
Ang Z DDR ay may mas mababang input impedance kaysa sa SDR.
Ang Z DDR ay may sanggunian na boltahe na VREF, ang estado ng digital signal ay natutukoy ng pagkakaiba sa pagitan ng boltahe ng signal at ng boltahe ng sanggunian.
Ang DM ng DDR ay wasto lamang sa panahon ng pagpapatakbo ng pagsusulat, habang ang signal ng DQM sa SDR ay wasto habang binabasa ang mga operasyon at pagsulat ng mga operasyon.
Gumagamit ang Z DDR ng kaugalian na paghahatid ng signal ng orasan, na maaaring mas garantiya ang kalidad ng signal at tiyempo.
Ang interface ay naiiba mula sa motherboard. Halimbawa, para sa DIMM, ang SDR ay mayroong 168 na mga pin, habang ang DDR ay mayroong 184 na mga pin. Ang SODIMM at UDIMM ay magkakaiba rin.
Dahil sa mga pagkakaiba sa ilang mga katangian sa pagitan ng SDR at DDR, isinasaalang-alang namin ang iba't ibang mga kadahilanan kapag ang pagdidisenyo ng dalawang uri ng mga module ng memorya na ito. Sa mga sumusunod na seksyon, idedetalye namin ang mga detalye ng disenyo ng dalawang uri ng mga module ng memorya na ito. Bagaman ang kasalukuyang merkado ay pinangungunahan pa rin ng SDRAM at DDR, ang mga pangunahing kumpanya ng module ng memorya ay nagsimula na magsagawa ng pagsasaliksik sa DDRII, at ang JEDEC ay nagtatag din ng isang espesyal na Task Group upang simulan ang pagbubuo ng mga bagong patakaran. Maaari itong matapang na hinulaan na ang DDRII ay lilitaw sa merkado sa susunod na taon (2003), at sa 2004, ang DDRII ay unti-unting magsisimulang maging nangingibabaw na merkado ng memorya. Para sa pangunahing kaalaman at disenyo ng DDRII
Ang teorya ng pagkalkula ay matatagpuan sa mga kaugnay na dokumento.
Ang aming iba pang mga produkto:
